エピフォトニクス社がPLZT光スイッチの低損失化(4×4で挿入損失5dB台)に成功

山中研究室の共同研究先の一つであるエピフォトニクス株式会社が(Pb,LA)(ZrTi)O3 (PLZT)光スイッチの低損失化に成功しました。

PLZT光導波路作製に係るプロセスの改善、PLZT 光導波路回路の最適化、光ファイバとの接続面の改善により、従来10 dB程あった1×8 光スイッチの挿入損失は4 dB 台へ、4×4 光スイッチでは5 dB 台へと、超高速光スイッチとして最高レベルの低損失化を達成しました。

低損失化したPLZT 光スイッチは、1 月にサンフランシスコで開催されるPhotonics West 2012、および3 月にロサンジェルスで開催されるOFC/NFOEC 2012 において展示されます。